Working Principle of a Semiconductor Based Solar Cell 2.4 Charge - - PowerPoint PPT Presentation

working principle of a semiconductor based solar cell
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Working Principle of a Semiconductor Based Solar Cell 2.4 Charge carrier excitation Week 2 Arno Smets Conduction band Valence band F(E) 1


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SLIDE 1

Arno Smets

Working Principle of a Semiconductor Based Solar Cell

2.4 Charge carrier excitation

Week 2

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SLIDE 2

Conduction band Valence band

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SLIDE 3

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0,5 1 EF E F(E)

Fermi Level

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SLIDE 4

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Fermi level

0,5 1 E F(E) T = 0 K

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SLIDE 5

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0,5 1 EF E F(E)

Fermi Level

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SLIDE 6

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0,5 1 EF E F(E)

Fermi Level

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SLIDE 7

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0,5 1 EC E F(E)

Fermi Level

EF EV

‐ ‐

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SLIDE 8

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Fermi level

0,5 1 E F(E) EC EF EV T = 0 K

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SLIDE 9

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0,5 1 EC E F(E)

Fermi Level

EF EV

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SLIDE 10
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SLIDE 11

Silicon Structure representation in 2D

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Silicon Structure

„Free“ electron Hole (bond missing valence electron)

1

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SLIDE 13

Semiconductor Materials

P I N

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SLIDE 14

n‐Doping

P+

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SLIDE 15

Energy band diagram of n‐doped Silicon

Valence Band Conduction Band EFermi Thermal excitation Donor States

`

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SLIDE 16

p‐Doping

B‐

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SLIDE 17

Energy band diagram of p‐doped Silicon

Valence Band Conduction Band EFermi Thermal excitation Acceptor States

`

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SLIDE 18

Typical Concentrations: Majority Carriers Minority Carriers = 1016 cm‐3 104 cm‐3

Si density in c‐Si is 5  1022 cm‐3

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SLIDE 19

Law of Mass Action

Intrinsic material n = p = nintrinsic =1,1X1010cm‐3

Doping: At Room Temperature:

n‐type doping p0 = n0 = ND

n0 (nintrinsic)2

n0 p0 = (nintrinsic)2 p‐type doping n0 = p0 = NA

p0 (nintrinsic)2

n.p=constant

}

n = electron carrier concentration p = hole carrier concentration 1,21X1020 cm‐6

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SLIDE 20

Example

n‐type doping p0 = n0 = ND n0 (nintrinsic)2 n‐type doping example p0 = n0 = ND= 1016 cm‐3 1,21X1020 1016 = 1,21X104 cm‐3

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SLIDE 21

Light Absorption scenario 1

Eph = EG:

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SLIDE 22

Light Absorption scenario 2

Eph < EG:

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SLIDE 23

Light Absorption scenario 3

Eph > EG:

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SLIDE 24

Light Absorbtion in doped material before light absorption: Majority Carriers Minority Carriers = 1016 cm‐3 104 cm‐3

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SLIDE 25

Light Absorbtion in doped material 1011 now electron‐hole pairs: 104 + 1011 cm‐3 Majority Carriers Minority Carriers = 1016 + 1011 cm‐3

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SLIDE 26

Temperature

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0,5 EC E F(E) EF EV

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P+

Doping Light

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SLIDE 27

Thank you for your attention!