大面積Micro Pixel Chamberの開発 3
京都大学 永吉 勉 谷森達, 窪秀利, 身内賢太朗, 竹田敦, 折戸玲子, 植野優, 高田淳史,
Espoo-Vantaa Institute of Technology
- O. Bouianov
CSC-Scientific Computing
- M. Bouianov
2003年9月10日 日本物理学会2003年秋季大会 @宮崎ワールド コ ンベンショ ンセンタ ー・ サミ ッ ト
Micro Pixel Chamber 3 , , - - PowerPoint PPT Presentation
Micro Pixel Chamber 3 , , , , , , , Espoo-Vantaa O. Bouianov Institute of Technology CSC-Scientific Computing M.
2003年9月10日 日本物理学会2003年秋季大会 @宮崎ワールド コ ンベンショ ンセンタ ー・ サミ ッ ト
polyimide substrate (prepreg)
10cm
260µm 314µm
anode height [µm] substrate fraction
Current µ-PIC ( -20µm) substrate thickness [µm] fraction Current µ-PIC Anode height = +10µm Anode diameter = 50µm Cathode width = 314µm Cathode diameter = 260µm
collected near pin gap collected near pin gap
substrate
anode
cathode
133Ba (356keV)
Anode voltage [V]
Gas gain
Anode voltage [V]
Gas gain
E field [V/cm] 500 2000 4 10 Drift velocity [cm/µs]
E field [V/cm] 500 2000 Diffusion [µm for 1cm drift] 102 103 Pure CF4 CF4 / C2H6 (80 / 20) CF4 / C2H6 (60 / 40) Ar / C2H6 (80 / 20)